近日，臺塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科發(fā)布媒體邀請函，其南林科技園區(qū)新建雙層無塵室12英寸廠計劃將于6月23日舉行動土典禮。而新廠落成量產(chǎn)時間是否維持原來計劃，有待典禮當(dāng)天再宣布。

據(jù)南亞科規(guī)劃，該廠房正式采用南亞科技自主研發(fā)的10納米級制程技術(shù)生產(chǎn)DRAM芯片，及規(guī)劃構(gòu)建EUV極紫外光微影生產(chǎn)技術(shù)，月產(chǎn)能約45,000片芯片，預(yù)期直接提供2,000個工作機(jī)會，并間接創(chuàng)造產(chǎn)業(yè)鏈數(shù)千個就業(yè)機(jī)會。該廠預(yù)估以7年分3階段投資，計劃2021年底動工，2023年底完工，2024年開始第一階段量產(chǎn)，總投資金額約新臺幣3,000億元。

南亞科總經(jīng)理李培瑛曾指出，新廠預(yù)計從第二代10納米級DRAM制程開始導(dǎo)入，首階段月產(chǎn)能將達(dá)到15000片，3階段完成后月產(chǎn)能，將達(dá)到45000片。新廠南亞科也規(guī)劃構(gòu)建EUV極紫外光微影生產(chǎn)技術(shù)，也有技術(shù)研發(fā)中心，最終什么制程導(dǎo)入或什么產(chǎn)品導(dǎo)入，還須視市場需求決定。

此前南亞科從40納米到20納米，每年需要向美光科技支付大量專利授權(quán)費。近年來積極投入自主技術(shù)研發(fā)，2020年初開發(fā)出10納米級DRAM新型存儲器技術(shù)，同時確立下世代10納米DRAM將采用自主研發(fā)技術(shù)，不再走授權(quán)模式。